Halfgeleider-lasers voor optische communicatie
De halfgeleider-laser, van GaAs, is in principe reeds bekend sinds 1962 maar de aanvankelijke exemplaren hadden een zeer sterke instelstroom nodig om tot laseren te kunnen worden gebracht. Daardoor was continue werking bij kamertemperatuur onmogelijk. In dit artikel bespreken we ons werk aan een laser met dubbele heterojnctie, die slecht een zwakke instelstroom vereist.