Author(s): J. van Seggelen, R. Dumoulin
Monolitische rechtgeleiding met gatscharnieren, waarvan de beweging overeenkomt met die van een ideaal vierstangenmechanisme met geleijke pootlengten, blijken uitermate gechikt voor toepassingen waarin een evenwijdige verplaatsing op microschaal wordt gevraagd. Maar omdat de nauwkeurigheidseisen gestaag toenemen, werd het van belang het bewegingsgedrag van dit type rechtsgeleiding in het nanameter-gebied te onderzoeken.